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第十二条 国家加强原子能科学研究与技术开发，强化基础研究，探索前沿技术，推进学科交叉融合，鼓励自主研发，加强知识产权保护，强化国家战略科技力量建设，促进原子能领域高素质专业人才队伍建设。
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据TheElec，三星电子最早将在今年3月停止在华城园区12号生产线制造2D NAND闪存，该企业的2D NAND闪存时代也将随之正式结束。三星电子早在2013年就实现了3D NAND (V-NAND) 的量产，不过三星还是保留了小规模的2D NAND产能以应对特殊利基市场的需求。华城12号生产线未来将服务于1c nm DRAM内存制造，负责后端的金属布线和表面处理工艺。（财联社），详情可参考快连下载-Letsvpn下载
What about DECSTBM and DECLRMM?DECSTBM and DECLRMM allow you to set “margins” in the terminal and then “scroll” within those margins. DECSTBM is for vertical margins and DECLRMM is for horizontal ones.